[17a-211-1~8] 16.3 シリコン系太陽電池

[17a-211-4] a-Si:H太陽電池の局在準位評価（２） -局在準位生成のフェルミ準位依存性-

Bidiville Adrien¹、〇松井 卓矢¹、齋 均¹、松原 浩司¹ (1.産総研)

キーワード：太陽電池、アモルファスシリコン、局在準位

Undope a-Si:H（i層）は薄膜Si太陽電池やヘテロ接合太陽電池に用いられているが、ドープ層（主にp層）との接合により膜質のプロセス（製膜・アニール）温度依存性が変化することが知られている。たとえば、i層をp層上に製膜するp-i-n型セルの場合、i層の製膜温度（>200°C）の増加とともにセル特性が著しく低下し、この一因としてp層のボロン原子がi層に拡散することが考えられてきた。しかし、最近の高感度SIMS測定においてもボロンの拡散は観測されず、特性低下のメカニズムの解明が求められている。本研究ではa-Si:H太陽電池の局在準位をセル構造で評価し、そのプロセス温度依存性について調査した。