[17a-301-1~12] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[17a-301-4] 4H-SiC/SiO₂界面O₂酸化の第一原理シミュレーション
～界面における炭素関連欠陥の電子状態～

〇山崎 隆浩^1,2、田島 暢夫^1,2、金子 智昭^1,2、奈良 純^1,2、清水 達夫³、加藤 弘一⁴、大野 隆央^1,2 (1.物材機構、2.MARCEED、3.東芝研究開発センター、4.東大生産研)

キーワード：第一原理分子動力学法、界面準位、酸化機構

SiC／絶縁膜の界面特性向上を目標に、これまで第一原理分子動力学法（FPMD）や古典MDを用いてSiCのO₂酸化機構を観察してきた。SiC(0001)_Si面および(000-1)_C面にアモルファス状のSiO₂膜を重ねた構造を作って界面にO₂を供給し、有限温度のFPMDを行った。COやCO₂の脱離が起こる機構、界面にCクラスタが凝集する機構を報告する。また、また幾つかの界面構造の電子状態を解析した。