[17a-301-1~12] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [17a-301-5] Thermal oxidation simulation of 4H-SiC by charge-transfer type molecular dynamics

〇(D)So Takamoto¹, Takahiro Yamasaki^2,3, Takahisa Ohno^2,3,4, Chioko Kaneta^3,5, Satoshi Izumi¹, Shinsuke Sakai¹ (1.Univ. of Tokyo, 2.NIMS, 3.MARCEED, 4.IIS, Univ. of Tokyo, 5.Fujitsu Lab.)

Keywords:molecular dynamics, oxidation simulation, charge-transfer type interatomic potential

本研究では，多数のSiC/SiO2界面構造をフィッティングした電荷移動型ポテンシャルを作成し，Si面とC面についてSiCの熱酸化シミュレーションを行った．いずれの場合も酸化膜の成長がみられ，特にC面ではより速く成長する様子がみられた．C面で顕著であった不規則な界面が酸化速度に寄与していると考えられる．またCは一部がクラスタとして酸化膜中に残り，後から酸化により脱離していく様子がみられた．