[17a-313-1~10] 8.4 Plasma etching

[17a-313-7] Effects of He⁺ ion irradiation on the Etching of Transparent Conduction Oxides

〇HU LI¹, Kazuhiro Karahashi¹, Masanaga Fukasawa², Kazunori Nagahata², Tetsuya Tatsumi², Satoshi Hamaguchi¹ (1.Osaka Univ., 2.Sony)

Keywords:Etching, Transparent Conducting Oxides

ITO やZnO 等金属酸化物の微細加工は光電子デバイスのみならず、太陽電池等様々な分野において重要な課題となる。その要求に応じる微細加工技術を確立するためには、エッチング反応機構の解明が必要となる。ZnOとITO基板に対し水素イオンを照射することにより、水素含有層である変質層の形成とともにエッチング反応が促進されることが明らかになった。今回の研究では、He⁺イオンを照射し、その変質層のエッチング特性について定量的に評価した。その結果、ZnOのHe⁺イオン照射表面に対し、エッチングのイールドは増加がみられる。ITOの基板に対して同様の結果が得られた。