[17a-313-1~10] 8.4 プラズマエッチング

[17a-313-9] 中性粒子ビームエッチングによるGe Fin構造の作製

〇野田 周一¹、水林 亘²、菊池 亜紀応¹、遠藤 和彦²、寒川 誠二^1,2 (1.東北大、2.産総研ナノエレ)

キーワード：GeフィンFET、中性粒子ビームエッチング、紫外線ダメージ