[17a-411-1~11] 6.1 強誘電体薄膜

[17a-411-5] パターン化SrTiO₃基板上へのBiFeO₃薄膜の作製 (Ⅱ)

〇黒川 悠太¹、瀬戸 翔太²、中嶋 誠二^1,2、藤沢 浩訓^1,2、清水 勝^1,2 (1.兵庫県立大工、2.兵庫県立大院工)

キーワード：ビスマスフェライト、ドメインウォール、表面加工

強誘電体の帯電ドメインウォール(Charged Domain Wall : CDW)では、導電率が変化することが知られている。この現象をスイッチングデバイスへ応用するためには、任意の位置にCDWを形成する技術が必要である。本研究ではCDWを形成するために、SrTiO₃(110)傾斜基板表面に、基板の傾斜方向と逆向きの斜面を形成するようなパターンを作製し、その上にBiFeO₃薄膜を作製した。その結果、パターン上のBiFeO₃薄膜において、斜面の境界部でCDWが形成されたことが分かった。