[17a-411-1~11] 6.1 Ferroelectric thin films

[17a-411-7] Fabrication and electrical property of Sr_1-xBa_xVO₃ thin film with d¹ configuration

〇Hirokazu Kyokane¹, Keisuke Shimizu¹, Kei Shigematsu¹, Hajime Hojo^1,2, Masaki Azuma¹ (1.MSL, Tokyo Tech, 2.Kyushu Univ.)

Keywords:orbital order, perovskite, pulsed laser deposition

BaVO₃はトレランスファクターが1.075と大きな値を有し、V⁴⁺がd¹電子配置であるために軌道秩序化によりPbVO₃型の構造をとることが期待される。そこで基板の圧縮応力により巨大なc/a比を与える事を期待し、Sr_1-xBa_xVO₃薄膜の作製を試み、結晶構造と電気特性の評価を行った。結果、Ba置換量0.8までコヒーレント成長を確認し、c/a >1であったBa置換量0.5で絶縁体的挙動を確認した。