[17a-419-1~12] 6.3 Oxide electronics

[17a-419-1] Stability of Stored Charge in HfO₂/SiO₂/Si Structure

Kazuma Noguchi¹, Ryohei Kuhara¹, Haruki Matsuo¹, Masahiro Hatamoto¹, 〇Yasuo Nara¹ (1.Univ. of Hyogo)

Keywords:HfO2, electret

HfO₂は酸素欠損を生じやすく、その酸素欠損が正に帯電する特徴があることから、振動型発電素子の新たなエレクトレット材料としての可能性が期待される。前回、我々はSi基板上に直接HfO₂を形成した構造(直接接合)は保持電荷量が大きいことを示した。今回、保持電荷の長期安定性確保の観点から実験的検討を行い、直接接合は大きな電荷を保持できるだけでなく、保持電荷の安定性も良好であることが分かった。