2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.3 酸化物エレクトロニクス

[17a-419-1~12] 6.3 酸化物エレクトロニクス

2017年3月17日(金) 09:00 〜 12:15 419 (419)

太田 健介(東芝)

11:30 〜 11:45

[17a-419-10] MgO(100)基板上のエピタキシャルSnxFe3-xO4薄膜

荒木 真人1、梶田 博樹1、柳瀬 隆1、島田 敏宏1、〇長浜 太郎1 (1.北大工)

キーワード:磁性酸化物、スピントロニクス

MFe2O4で表されるスピネルフェライトは高いキュリー温度を持つ酸化物磁性体である。酸化物エレクトロニクス分野では、スピネルフェライトをFETのチャネル層として活用しようとする試みが報告されている。多くはMとして3d遷移金属が導入され半導体的な伝導性を獲得している。これらの報告ではFET動作には成功しており、移動度などの特性の大幅な改善が課題となっている。本研究では室温で金属的な伝導を示すFe3O4に第5周期金属であるSnを添加したSnxFe3−xO4エピタキシャル薄膜を得ることに成功し、その伝導特性や磁気特性を評価した。