The 64th JSAP Spring Meeting, 2017

Presentation information

Oral presentation

6 Thin Films and Surfaces » 6.3 Oxide electronics

[17a-419-1~12] 6.3 Oxide electronics

Fri. Mar 17, 2017 9:00 AM - 12:15 PM 419 (419)

Ota Kensuke(Toshiba)

10:15 AM - 10:30 AM

[17a-419-6] Thermally stable Sr2RuO4 electrode for oxide heterostructures

Ryota Takahashi1,2, Mikk Lippmaa1 (1.ISSP, Univ. Tokyo, 2.JST PRESTO)

Keywords:oxide film, ferroelectric film

強誘電体キャパシター、水分解光電極などの酸化物ヘテロ構造では、電気特性を評価するために、下部電極の薄膜を最初に堆積しなければならない。目的となる薄膜の結晶性を高くするために基板温度を高くすればするほど、下地の電極に利用できる材料は限定されてしまう。特に最近の酸化物薄膜研究では赤外線レーザーを用いた加熱手法によって成膜温度は1000℃以上になり、熱的安定性に優れた電極材料の開発が急務になっている。本研究では1000℃の高温成膜にも耐えられる電極材料としてRuddlesden-Popper相のSr2RuO4薄膜に注目し、強誘電体BaTiO3のヘテロ構造を作製するプロセスに応用した実験について紹介する。