[17a-502-1~10] 21.1 Joint Session K

△ [17a-502-1] Effect of Ga Content on the Density of Oxygen Vacancies in Solution-processed IGZO Thin Films

〇(M1)Yusuke Ochiai¹, Takaaki Morimoto¹, Nobuko Fukuda³, Yoshimichi Ohki^1,2 (1.SASE of Waseda Univ., 2.RIMST of Waseda Univ., 3.FLEC of AIST)

Keywords:Ratio, XPS, Photoluminescence

溶液法IGZO薄膜のGa比率を0~80%で変化させると、酸素空孔によるPL強度が最小となるGa比率0%(300℃焼成)あるいは40%(800℃焼成)にて、V_G>0でのI_D(オン電流)が最大となる。この結果は、電子散乱中心として働く酸素空孔が少ないと、オン電流が大きくなるという我々の仮説を支持する。さらに、300℃焼成ではGaが酸化物になりにくいため、Ga比率0%でオン電流最大となることを見出した。