[17a-502-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

△ [17a-502-2] 溶液法で作製したIGZO薄膜に対する紫外光照射と熱処理の影響

〇高森 悠圭¹、落合 祐輔¹、森本 貴明¹、福田 伸子³、大木 義路^1,2 (1.早大先進理工、2.早大材研、3.産総研FLEC)

キーワード：IGZO、溶液法、紫外光

溶液法により大気中250℃で焼成したIGZO薄膜に、室温の大気中で7.2eVの紫外光(UV)を照射するとV_G>0におけるI_D(オン電流)が著しく減少し、250℃の大気中で再び加熱するとUV照射前の値に回復する。その後、UV照射と再加熱をすると、オン電流は再び減少および回復する。一方、上記のオン電流の減少は7.2eVのUVを照射する場合でのみ起こり、5.6、4.0eVのUVでは発生しない。