[17a-502-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17a-502-3] 非晶質InGaZnO₄およびInSnZnO₄薄膜トランジスタのNBITS特性評価

〇大野 祐樹¹、清水 耕作¹ (1.日大生産工)

キーワード：酸化物半導体