[17a-502-1~10] 21.1 Joint Session K

[17a-502-5] Reverse bias voltage dependence of responsivity in Pt/ Mg_xZn_1-xO/n-ZnO Schottky photodiodes

〇Haruyuki Endo¹, Kyo Takahashi¹, Yasube Kashiwaba² (1.Iwate Ind. Res. Inst., 2.Iwate Univ.)

Keywords:ZnO, Schottky photodiode

我々は微弱UV光検出用途に向け、Pt/Mg_xZn_1-xO/n-ZnO ショットキーフォトダイオード型UVセンサの開発を進めている。本報告ではMg_xZn_1-xO薄膜の薄膜化等による素子特性改善と、電流感度の逆バイアス電圧依存性に関するより詳細な評価を行ったので報告する。