[17a-502-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17a-502-5] Pt/Mg_xZn_1-xO/n-ZnOショットキーフォトダイオードにおける電流感度の逆バイアス電圧依存性

〇遠藤 治之¹、高橋 強¹、柏葉 安兵衛² (1.岩手県工技センタ、2.岩手大)

キーワード：酸化亜鉛、ショットキーフォトダイオード

我々は微弱UV光検出用途に向け、Pt/Mg_xZn_1-xO/n-ZnO ショットキーフォトダイオード型UVセンサの開発を進めている。本報告ではMg_xZn_1-xO薄膜の薄膜化等による素子特性改善と、電流感度の逆バイアス電圧依存性に関するより詳細な評価を行ったので報告する。