[17a-502-1~10] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17a-502-7] Sn_​2Nb_​2O₇の電子構造およびキャリアドーピング

〇相浦 義弘¹、小澤 健一²、長谷 泉¹、阪東 恭子¹、羽賀 浩人^1,3、川中 浩史¹、三溝 朱音^1,4、菊地 直人¹ (1.産総研、2.東工大、3.茨城大、4.東理大)

キーワード：ワイドギャップp型酸化物半導体

近年、我々はパイロクロア構造を有するスズ酸化物Sn₂Nb₂O₇のｐ型およびn 型半導体化に成功した。本講演では、この系の微視的な電子構造とキャリアドープに関する考察を行う予定である。