[17a-503-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-503-10] HVPE法によるファセット制御を用いたGaN成長のマスクパターン依存性

〇行實 孝太¹、河原 慎¹、藤本 怜¹、松原 徹¹、井本 良¹、岡田 成仁¹、只友 一行¹ (1.山口大学院・創成科学)

キーワード：HVPE、GaN