[17a-503-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-503-12] 逆メサ加工GaNテンプレートを用いた自立GaN基板作製

〇板垣 憲広¹、野島 康平¹、石橋 直人¹、井本 良¹、岡田 成仁¹、西宮 智靖²、松尾 文晴²、只友 一行¹ (1.山口大学院・創成科学、2.サムコ(株))

キーワード：窒化ガリウム、メサ、ハイドライド気相成長