[17a-503-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-503-2] グラフェンバッファ層を用いた非晶質基板上へのAlGaN/GaN HEMT構造の作製

綿引 康介¹、小林 広師¹、〇太田 実雄^1,2、上野 耕平¹、小林 篤¹、藤岡 洋^1,3 (1.東大・生研、2.JST-さきがけ、3.JST-ACCEL)

キーワード：HEMT、グラフェン、非晶質基板