[17a-503-1~13] 15.4 III-V-group nitride crystals

[17a-503-7] First-Principles Study of Non-Polar GaN Surfaces under the OVPE Growth Conditions

〇Takahiro Kawamura^1,2, Akira Kitamoto², Mamoru Imade², Masashi Yoshimura², Yusuke Mori², Yoshitada Morikawa², Yoshihiro Kangawa³, Koichi Kakimoto³ (1.Mie Univ., 2.Osaka Univ., 3.RIAM, Kyushu Univ.)

Keywords:first-principles calculation, GaN, oxide vapor phase epitaxy

原料にO原子種を含むOxide Vapor Phase Epitaxy (OVPE) 法によるGaN成長ではO不純物量の制御が課題となっており，結晶品質および結晶成長速度の改善のためO原子種を考慮したGaN成長プロセスの解明が求められている．本研究ではその一環として第一原理計算を用いてOVPE成長条件下におけるGaN非極性表面構造について検討を行った．