[17a-503-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-503-7] OVPE成長条件下におけるGaN非極性表面構造の第一原理計算

〇河村 貴宏^1,2、北本 啓²、今出 完²、吉村 政志²、森 勇介²、森川 良忠²、寒川 義裕³、柿本 浩一³ (1.三重大院工、2.阪大院工、3.九大応力研)

キーワード：第一原理計算、窒化ガリウム、oxide vapor phase epitaxy

原料にO原子種を含むOxide Vapor Phase Epitaxy (OVPE) 法によるGaN成長ではO不純物量の制御が課題となっており，結晶品質および結晶成長速度の改善のためO原子種を考慮したGaN成長プロセスの解明が求められている．本研究ではその一環として第一原理計算を用いてOVPE成長条件下におけるGaN非極性表面構造について検討を行った．