[17a-503-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17a-503-9] HVPE両面成長による低反り・低転位GaNテンプレートの製作

〇藤倉 序章¹、今野 泰一郎¹ (1.サイオクス)

キーワード：GaN、HVPE、両面成長

HVPE法によりサファイアウエハの裏表両面へ成長することで、GaN層が厚く低転位(1x10⁶/cm²台)でありながらウエハの反りが小さく（＜100um）、デバイス応用に適したGaNテンプレートを実現した。表側の結晶性GaN成長に先立ち、裏面に劈開性の無い多結晶GaNを成長することで、厚膜成長時のウエハの割れを防止している。