The 64th JSAP Spring Meeting, 2017

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Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.2 II-VI and related compounds

[17a-513-1~11] 15.2 II-VI and related compounds

Fri. Mar 17, 2017 9:00 AM - 12:00 PM 513 (513)

Kazuyuki Uno(Wakayama Univ.), Ichirou Nomura(Sophia Univ.)

11:45 AM - 12:00 PM

[17a-513-11] Influence of the substrate orientation on the ZnTe growth on the sapphire

Taizo Nakasu1, Keisuke Odaka1, Masakazu Kobayashi1,2, Toshiaki Asahi3 (1.Waseda Univ., 2.Waseda Univ. Lab. for Mat. Sci. & Tech., 3.JX Nippon Mining & Metals Corp.)

Keywords:ZnTe, Sapphire, Pole figure

サファイア基板上ZnTe薄膜構造に注目している。面方位の異なるサファイア基板を用いることで、ZnTe薄膜の配向面方位の制御を試みてきた。MBEを用いて様々な面方位の基板上に作製したZnTe薄膜の配向性の結果より、ZnTe薄膜の配向方位の規則性を得ることで、ZnTeの面方位制御が期待できると考えた。サファイアとZnTeの原子配列や面方位の位置関係だけではなく、基板表面のイオン性もZnTeの面方位を制御するのに重要であることが明らかになった。