2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

[17a-513-1~11] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

2017年3月17日(金) 09:00 〜 12:00 513 (513)

宇野 和行(和歌山大)、野村 一郎(上智大)

11:45 〜 12:00

[17a-513-11] サファイア基板上ZnTe薄膜成長における基板面方位による効果

中須 大蔵1、小高 圭佑1、小林 正和1,2、朝日 聡明3 (1.早大先進理工、2.早大材研、3.JX金属)

キーワード:テルル化亜鉛、サファイア、極点図

サファイア基板上ZnTe薄膜構造に注目している。面方位の異なるサファイア基板を用いることで、ZnTe薄膜の配向面方位の制御を試みてきた。MBEを用いて様々な面方位の基板上に作製したZnTe薄膜の配向性の結果より、ZnTe薄膜の配向方位の規則性を得ることで、ZnTeの面方位制御が期待できると考えた。サファイアとZnTeの原子配列や面方位の位置関係だけではなく、基板表面のイオン性もZnTeの面方位を制御するのに重要であることが明らかになった。