[17a-513-1~11] 15.2 II-VI and related compounds

△ [17a-513-6] Effect of Ag/Ga Ratio on Quality of AgGaTe₂ and Analysis of Phase Diagram

〇(DC)Aya Uruno¹, Shinichiro Kikai¹, Yuri Suetsugu¹, Yohei Sakurakawa¹, Masakazu Kobayashi^1,2 (1.Waseda Univ. Dept. of Elec. Eng. and Biosci., 2.Waseda Univ. Lab. for Mat. Sci. & Tech.)

Keywords:solar cell, chalcopyrite

前回の春季応用物理学会では、Ag₂Te中間層の上にAg₂Te+Ga₂Te₃層を製膜する2段階近接昇華法を用いることで、約3%の変換効率を持つp-AgGaTe₂/n-Si太陽電池構造の作製に成功したことを報告した。AgGaTe₂作製を行う過程において、膜内のAg/Ga比の変化に伴い様々な副生成物の存在や表面形態の変化が明らかになった。そこで本研究では膜内のAg/Ga比を変化させ、副生成物や表面状態について纏めた。さらにそれらの結果についてAg₂Te-Ga₂Te₃系擬2元系状態図を用いて解析を行った。