[17a-513-1~11] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

△ [17a-513-6] AgGaTe₂膜内のAg/Ga比が膜質に与える影響と状態図による解析

〇(DC)宇留野 彩¹、鬼界 伸一郎¹、末次 由里¹、桜川 陽平¹、小林 正和^1,2 (1.早大先進、2.早大材研)

キーワード：太陽電池、カルコパイライト

前回の春季応用物理学会では、Ag₂Te中間層の上にAg₂Te+Ga₂Te₃層を製膜する2段階近接昇華法を用いることで、約3%の変換効率を持つp-AgGaTe₂/n-Si太陽電池構造の作製に成功したことを報告した。AgGaTe₂作製を行う過程において、膜内のAg/Ga比の変化に伴い様々な副生成物の存在や表面形態の変化が明らかになった。そこで本研究では膜内のAg/Ga比を変化させ、副生成物や表面状態について纏めた。さらにそれらの結果についてAg₂Te-Ga₂Te₃系擬2元系状態図を用いて解析を行った。