[17a-B5-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17a-B5-11] 微傾斜GaSb (001)基板上InAs成長のAs₂圧依存性

〇奥村 滋一¹、苫米地 秀一¹、鈴木 僚¹、角田 浩司¹、今 純一¹、西野 弘師¹ (1.富士通研)

キーワード：ガリウムアンチモン、インジウム砒素、分子線エピタキシー

固体ソース分子線エピタキシー法による微傾斜GaSb(001)基板上へのInAs成長のAs₂圧依存性を検討した。その結果、高As₂圧条件ではInAs層に転位の発生が確認され、As₂圧を下げるに従い転位密度は減少する一方、ピットの発生が確認された。更にAs₂圧を下げることで、転位、ピット共に抑制されたInAs層が実現された。TEM/FFTMによる歪解析の結果、GaSb/InAs界面にAs/Sb置換により発生したGaAsに近い組成を有する遷移層が存在し、As₂圧を下げるに従い遷移層が薄くなることが確認された。InAs層の転位はこの遷移層の歪によりもたらされたものと考えられる。