[17a-B5-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17a-B5-12] 二軸性歪み下におけるGaSbの電気伝導率の面方位依存性

〇岸本 秀輝¹、赤石 暁¹、中村 淳¹ (1.電通大院基盤理工)

キーワード：Ⅲ-V族化合物半導体、電気伝導率、二軸性歪み