[17a-B5-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

△ [17a-B5-2] Si基板上格子整合系GaAsPN p-i-n接合の電気的特性評価

〇(M1)高橋 賢二郎¹、山根 啓輔¹、佐藤 健人¹、後藤 聖也¹、関口 寛人¹、岡田 浩²、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大院・工、2.豊橋技科大 EIIRIS)

キーワード：III-V族化合物半導体、太陽電池