[17a-B5-1~12] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17a-B5-9] (111)面InP基板上のMBE成長InGaAs/InAlAs量子井戸の特性

〇河村 裕一¹、谷口 あずさ¹ (1.大阪府立大工)

キーワード：化合物半導体、量子井戸構造、InP 基板

InP基板のInGaAs/InAlAs量子井戸構造は波長1.3～1.5μｍ帯の光通信用レーザーや波長4～6μm帯の中赤外量子カスケードレーザーの材料として有用である。従来のレーザー素子は(100)面InP基板上に成長されたものがほとんどであり、(111)面上の結晶成長についての報告は結晶成長が困難な事も加わってきわめて少ない。 (111)面上で高品質の結晶が得られれば、発振閾値の低下や、量子カスケードレーザーの第二高調波での発振が実現可能である。今回、結晶品質に対する基板の微傾斜方向依存性について検討したのでその結果を報告する。