[17a-F204-1~9] 3.15 シリコンフォトニクス

[17a-F204-5] シリコン導波路における光散乱の解析

〇臼杵 達哉¹、蘇武 洋平¹、鄭 錫煥¹、堀川 剛¹ (1.PETRA)

キーワード：シリコン導波路、光散乱、数値解析

シリコン光導波路は屈折率差が大きく， 数値解析に精密な3次元全波モデルが必要とされる。 今回，3次元全波モデルをシリコン導波路の任意形状に適用する為，導波路の中心線を座標軸とする直交曲線座標をマクスウェル方程式に導入した。導波路の曲げとテーパー形状は２つの曲率関数で表現される。講演では光散乱に関する数値解析結果を紹介する。