[17a-P5-1~23] 12.4 有機EL・トランジスタ

[17a-P5-2] InP/ZnS量子ドットを用いた発光素子の高効率化に関する研究

〇佐々木 宏尚¹、菱沼 賢智¹、牧 純也¹、福田 武司¹、鎌田 憲彦¹、本多 善太郎¹ (1.埼玉大)

キーワード：量子ドット、InP/ZnS、発光素子

本研究では、毒性の低いInP/ZnS量子ドット－トルエン分散液の濃度を変化させて、発光素子における濃度の最適化を検討した。
実験方法としては、ITO付きガラス基板上にZnO、InP/ZnS量子ドットの順に、スピンコート法で成膜した。その後、真空蒸着法でCBP (40 nm) / MoO₃ (10 nm) / Alの順で成膜した。
実験結果としては、濃度が高いほど、輝度の立ち上がり電圧が高電圧側にシフトした。濃度が10 mg/mlのときに最大20 cd/m²の輝度を記録した。