[17a-P5-1~23] 12.4 有機EL・トランジスタ

[17a-P5-21] 電界誘起光第二次高調波発生（EFI-SHG）法による異なるコンタクト構造によるキャリア注入特性変化の評価

〇(M2)土屋 春樹¹、田口 大¹、間中 孝彰¹、岩本 光正¹ (1.東工大・理工)

キーワード：フルオレン系共重合体、有機半導体、電界誘起光第二次高調波発生

OFETのコンタクト構造に起因するキャリア注入特性の違いについて評価するべく、フルオレン系共重合体であるPSFOTを用いてOFET構造の素子を作製した。電界誘起光第二次高調波発生（EFI-SHG）法により電子と正孔の注入・輸送過程を可視化した。これよりコンタクト構造によりキャリアの注入の様相が異なることを確認した。この原因として素子構造によりコンタクト電極の仕事関数が異なることが示唆される。