[17p-211-1~12] 16.3 Bulk, thin-film and other silicon-based solar cells

[17p-211-12] Evaluation of passivation film with large leakage current using applying extremely high-frequency impedance analysis

〇Takuto Kojima¹, Takuya Hiyama¹, Kyotaro Nakamura¹, Atsushi Ogura¹, Yoshio Ohshita² (1.Meiji Univ., 2.Toyota Tech. Inst.)

Keywords:Impedance analysis, Passivation film, C-V characterization

太陽電池にはキャリア再結合に対するパッシベーションを目的に様々な薄膜が用いられる．近年，電極-シリコン界面における再結合を抑制するために抵抗損失の少ない極薄膜を挿入する構造が注目を集めている．金属-絶縁体-半導体容量-電圧（MIS C-V）特性の評価はパッシベーション膜の界面状態密度 や固定電荷 といった界面特性を評価できるが，大きい漏れ電流をともなう解析では薄膜容量の決定は困難である．そこで本研究では1 MHz – 3 GHzの高周波領域におけるインピーダンス解析を行ない，高漏れ性パッシベーション膜の解析を試みた．