[17p-211-1~12] 16.3 シリコン系太陽電池

[17p-211-12] 超高周波インピーダンス解析による高漏れ性パッシベーション膜の評価

〇小島 拓人¹、肥山 卓矢¹、中村 京太郎¹、小椋 厚志¹、大下 祥雄² (1.明大理工、2.豊田工大)

キーワード：インピーダンス解析、パッシベーション膜、C-V特性

太陽電池にはキャリア再結合に対するパッシベーションを目的に様々な薄膜が用いられる．近年，電極-シリコン界面における再結合を抑制するために抵抗損失の少ない極薄膜を挿入する構造が注目を集めている．金属-絶縁体-半導体容量-電圧（MIS C-V）特性の評価はパッシベーション膜の界面状態密度 や固定電荷 といった界面特性を評価できるが，大きい漏れ電流をともなう解析では薄膜容量の決定は困難である．そこで本研究では1 MHz – 3 GHzの高周波領域におけるインピーダンス解析を行ない，高漏れ性パッシベーション膜の解析を試みた．