[17p-211-1~12] 16.3 シリコン系太陽電池

[17p-211-2] ITO製膜によるp-a-Si/i-a-Si膜のパッシベーション能力低下の要因

〇小西 武雄¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：スパッタ、パッシベーション、太陽電池

a-Siパッシベーション膜上にスパッタ法でITO膜を堆積すると，c-Siのτ_effが大幅に低下する．また，p-a-Si/i-a-Si膜上にITOを堆積した場合，ポストアニールを行ってもτ_effの回復が小さい．この原因を解明するため，ITO膜有無によるτ_effの変化を調査した．ITO/n-a-Si/i-a-Si/c-Si構造では，ITO膜除去前後にて，τ_effの変化は見られなかった．一方ITO/p-a-Si/i-a-Si/c-Si構造では，ITO膜除去後，特に低Δn領域にてτ_effの改善が確認された．ITO/p-a-Si界面でのキャリア再結合が，τ_effを低減させていると考えられる．