2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.4 有機EL・トランジスタ

[17p-302-1~14] 12.4 有機EL・トランジスタ

2017年3月17日(金) 13:15 〜 17:00 302 (302)

松島 敏則(九大)、三成 剛生(物材機構)

16:15 〜 16:30

[17p-302-12] 有機強誘電体メモリトランジスタの書込時間

菅野 亮1、田代 智也1、関根 智仁1、松井 弘之1、熊木 大介1、Fabrice Domingues Dos Santos2、宮保 淳3、時任 静士1 (1.山形大ROEL、2.Piezotech、3.アルケマ株式会社)

キーワード:強誘電性高分子、強誘電体メモリ

有機薄膜トランジスタの絶縁膜に有機強誘電体を用いた有機強誘電体メモリトランジスタ(OFMT)は、小面積・不揮発などの特徴をもつ。OFMTの書込時間はその「チャネル形成」と「強誘電体の分極反転」にかかる時間の和と推測できるものの、どちらが支配的であるかは明らかでない。今回、OFMTと強誘電体キャパシタの書込時間を独立して測定することで、OFMTの書込時間は「強誘電体の分極反転」に律速されることを明らかにした。