2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

12 有機分子・バイオエレクトロニクス » 12.4 有機EL・トランジスタ

[17p-302-1~14] 12.4 有機EL・トランジスタ

2017年3月17日(金) 13:15 〜 17:00 302 (302)

松島 敏則(九大)、三成 剛生(物材機構)

16:45 〜 17:00

[17p-302-14] 半導体型カーボンナノチューブを用いた塗布型薄膜トランジスタ

清水 浩二1、崎井 大輔1、磯貝 和生1、村瀬 清一郎1 (1.東レ)

キーワード:カーボンナノチューブ、半導体ポリマー、薄膜トランジスタ

近年、塗布型薄膜トランジスタ(TFT)の半導体材料として、単層カーボンナノチューブ(SWCNT)が注目されている。我々はこれまでに、高純度半導体型SWCNTと独自半導体ポリマーとの複合化により、塗布型では世界最高の移動度を達成している。本検討では、ろ過を用いたCNTの長さ制御により、CNTの平均長さを増大させることで、従来を上回る移動度が得られた。これは、CNT膜の接触抵抗低減に起因すると推定される。