[17p-503-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-503-7] 局所カソードルミネッセンスによるInGaN量子井戸構造のポテンシャル障壁評価

〇倉井 聡¹、檜垣 翔大¹、岡田 成仁¹、只友 一行¹、山田 陽一¹ (1.山口大創成科学)

キーワード：カソードルミネッセンス、InGaN、ポテンシャル障壁