[17p-P1-1~4] 15.2 II-VI族結晶および多元系結晶

[17p-P1-2] ミストCVD法によるCdS薄膜の成長

〇宇野 和行¹、瀧本 悠華¹、田中 一郎¹ (1.和歌山大システム工)

キーワード：半導体、硫化カドミウム、ミストCVD法

ミストCVD法を用いて，水溶液を用いていながら硫化物半導体であるCdSを成長した。原料には塩化カドミウムとチオ尿素を水とメタノールの混合溶媒に溶かしたものを用いた。厚さ200-500nmの黄色薄膜が得られた。結晶形はウルツ鉱型で，直径300-500nmの多結晶薄膜であった。吸収端は490nmであった。