[17p-P2-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-P2-1] Si基板上GaAs薄膜のレーザーアニールによる結晶性への影響

〇(M1)戒能 賢治¹、吉留 寛貴¹、前田 幸冶¹、碇 哲雄¹、福山 敦彦¹、鈴木 秀俊¹ (1.宮崎大工)

キーワード：MBE