[17p-P2-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-P2-11] Sb照射熱処理によるInAs量子ドット層の構造変化

〇(B)馬飼野 彰宜¹、及川 信吾¹、坂本 克好¹、山口 浩一¹ (1.電通大　基盤理工)

キーワード：分子線エピキタシー、量子ドット、半導体