[17p-P2-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-P2-13] MOVPE法によるInAs基板上AlGaAsSb成長におけるAl材料依存性

〇山形 勇也¹、吉元 圭太¹、今村 優雅¹、荒木 昌和¹ (1.宮大工)

キーワード：Al材料依存性

近年注目されている中赤外帯域では環境ガスや都市ガスを高感度に検出することが可能である。
本研究では、これまで実現が困難であった波長帯域のtype-Ⅰ型ヘテロ構造の材料実現を目標としている。今回はInAs基板上にAl材料の違うAlGaAsSbを成長し、低温成長を必要とするアンチモンに対して、600℃以下で急激に分解効率が低下するトリメチルアルミニウム(TMAl)³⁾と、低温でも分解しやすいと考えられるトリイソブチルアルミニウム(TIBAl)を使うことで結晶性改善や成長速度の改善を試みた。