[17p-P2-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-P2-2] MBE 法を用いて作製した Ga 事前供給 GaAs on Si(113)の結晶性の評価

〇(M1)奥谷 哲¹、結城 正也¹、碇 哲雄¹、福山 敦彦¹、鈴木 秀俊¹ (1.宮崎大工)

キーワード：MBE