[17p-P2-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-P2-3] 表面窒化法によるGaPN混晶の成長における窒素取り込み機構の検討

〇橘高 昂志¹、山根 啓輔¹、Boualiong Kerlee¹、関口 寛人¹、岡田 浩^2,1、若原 昭浩¹ (1.豊橋技科大院・工、2.豊橋技科大 EIIRIS)

キーワード：表面窒化法、有機金属気相成長