[17p-P2-1~13] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[17p-P2-4] Evaluation of hole effective mass using GaAsN based p⁺-n⁺ tunnel diodes

〇Ryuki Taniguchi¹, Takuya Odaka¹, Naoki Shiino¹, Takashi Tsukasaki¹, Ren Hiyoshi¹, Toshiki Makimoto¹ (1.Waseda Univ.)

Keywords:GaAsN, GaNAs, tunnel diode

GaAsのAsをNで数％置換したGaAsNは、多接合太陽電池における1 eV帯セルへの応用が検討されている。そして、低いN組成のGaAsNでは、N組成とともに電子に対する有効質量が増加することが報告されており、これに対して、GaAsNの正孔の有効質量はこれまでに報告例がない。前回までに、我々はGaAsN系トンネルダイオード(TD)の作製に成功し、今回はその特性から正孔の有効質量についての考察を行ったので報告する。