[17p-P2-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-P2-4] GaAsN系p⁺-n⁺トンネル接合ダイオードを用いた正孔の有効質量の評価

〇谷口 龍希¹、尾高 拓弥¹、椎野 直樹¹、塚崎 貴司¹、日吉 連¹、牧本 俊樹¹ (1.早大理工)

キーワード：GaAsN、GaNAs、トンネル接合ダイオード

GaAsのAsをNで数％置換したGaAsNは、多接合太陽電池における1 eV帯セルへの応用が検討されている。そして、低いN組成のGaAsNでは、N組成とともに電子に対する有効質量が増加することが報告されており、これに対して、GaAsNの正孔の有効質量はこれまでに報告例がない。前回までに、我々はGaAsN系トンネルダイオード(TD)の作製に成功し、今回はその特性から正孔の有効質量についての考察を行ったので報告する。