[17p-P2-1~13] 15.3 III-V-group epitaxial crystals, Fundamentals of epitaxy

[17p-P2-5] Analysis of Bi composition of MBE-grown GaAs/GaAsBi quantum wells on GaAs substrates

〇Eigo Ito¹, Koichiro Higaki¹, Saburo Tanaka¹, Pallavi Patil¹, Fumitaro Ishikawa¹, Satoshi Shimomura¹ (1.Ehime Univ.)

Keywords:Molecular Beam Epitaxy, GaAsBi

GaAsBiは、長波長用の発光材料として注目されており、禁制帯幅の温度依存性が小さく、温度変化に対して発振波長の変化が小さい半導体レーザの開発が期待されている。Biは成長中表面偏析することが分かっているが、GaAs/GaAsBi多重量子井戸成長中にどの程度GaAs層に取り込まれるか、またその組成プロファイルがどのようになっているかは明らかになっていない。今回、MBE成長したGaAs/GaAsBi量子井戸をSTEM及びEDSにより求めたBi組成のプロファイルについて報告する。