[17p-P2-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-P2-5] (100)A面 GaAs基板上にMBE成長したGaAs/GaAsBi量子井戸のBi組成の解析

〇伊藤 瑛悟¹、檜垣 興一郎¹、田中 佐武郎¹、Patil Pallavi¹、石川 史太郎¹、下村 哲¹ (1.愛媛大院理工)

キーワード：MBE、BaAsBi

GaAsBiは、長波長用の発光材料として注目されており、禁制帯幅の温度依存性が小さく、温度変化に対して発振波長の変化が小さい半導体レーザの開発が期待されている。Biは成長中表面偏析することが分かっているが、GaAs/GaAsBi多重量子井戸成長中にどの程度GaAs層に取り込まれるか、またその組成プロファイルがどのようになっているかは明らかになっていない。今回、MBE成長したGaAs/GaAsBi量子井戸をSTEM及びEDSにより求めたBi組成のプロファイルについて報告する。