2017年第64回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(ポスター講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[17p-P2-1~13] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2017年3月17日(金) 13:30 〜 15:30 P2 (展示ホールB)

13:30 〜 15:30

[17p-P2-9] 3次元界面構造を持つInGaAs薄膜からの1 µm帯高輝度・広帯域発光

兼平 真吾1、林 佑真1、尾崎 信彦1、大河内 俊介2、池田 直樹3、杉本 喜正3、Richard A. Hogg4 (1.和歌山大シス工、2.NEC、3.物材機構、4.グラスゴー大)

キーワード:分子線エピタキシー、InGaAs薄膜、ナノ構造